Transistor AOS MOSFET

Detail produk

Gambaran umum

AOD9N52 telah dibuat menggunakan proses MOSFET tegangan tinggi canggih yang dirancang untuk memberikan kinerja dan ketahanan tingkat tinggi dalam aplikasi ACDC populer. Dengan menyediakan RDS rendah (aktif), Ciss dan Crss bersama dengan kemampuan longsoran yang terjamin, bagian-bagian ini dapat diadopsi dengan cepat ke dalam desain catu daya offline yang baru dan yang sudah ada.

Gambar produk 1

Gambar produk 2

Gambar produk 3

A. Nilai R θJA diukur dengan perangkat di lingkungan yang tenang dengan TA = 25 ° C.

B. PD disipasi daya didasarkan pada TJ (MAX) = 150 ° C dalam paket TO252, menggunakan resistensi termal junction-ke-kasus, dan lebih berguna dalam menetapkan batas disipasi atas untuk kasus di mana heatsinking tambahan digunakan.

C. Peringkat berulang, lebar pulsa dibatasi oleh suhu persimpangan TJ (MAX) = 150 ° C.

D. R θJA adalah jumlah impedansi termal dari persimpangan ke case R θJC dan case ke ambient.

E. Karakteristik statis pada Gambar 1 sampai 6 diperoleh dengan menggunakan pulsa <300 μs,="" siklus="" kerja="" maks="">

F. Kurva ini didasarkan pada impedans termal junction-ke-kasus yang diukur dengan perangkat yang dipasang pada heatsink besar, dengan asumsi suhu persimpangan maksimum TJ (MAX) = 150 ° C.

G. Tes ini dilakukan dengan perangkat yang terpasang pada 1 in2 FR-4 board dengan 2oz. Tembaga, di lingkungan yang tenang dengan TA = 25 ° C.

H. L = 60mH, IAS = 3.8A, VDD = 150V, RG = 10Ω, Mulai TJ = 25 ° C

Rincian Cepat

Tempat Asal: Johor, Malaysia

Nama Merek: Asli

Nomor Model: AOD9N52

Jenis: Transistor Efek Medan

Tipe Paket: Surface Mount

Buat: AOS

Kondisi: Asli

Paket: TO-252

Status Bebas Timbal: Bebas Timbal